晶圆切割有哪几种方法_半导体_知识学堂

目前，硬脆材料切割技术主要有外圆切割、内圆切割和线铭切割。外圆切割组然操作简便，但据片刚性差，切割过程中锯片易跑偏.导致被切割工们的平行度差:而内圆切割只能进行直线切割.无法进行曲面切割.线锯切割技术具有切缝窄、效率高、切片质量好、可进行曲线切别等优点成为口前广泛采用的切割技术。

　　内圆切割时晶片表面损伤层大，给CMP带来很大黔削抛光工作最:刃口宽.材料损失大.品片出率低:成木高。生产率低:每次只能切割一片.当晶圆直径达到300mm时.内圆刀片外径将达到1.18m.内径为410mm.在制造、安装与调试上带来很多困难.故后期主要发展线切别为主的晶圆切割技术。

　　金刚石线锯足近十几年来获得快速发展的硬脆材料切割技术.包括自由助料线锯和固结磨料线锯两类。根据锯丝的运动方式和机冰结构.又可分为往复式和单向(环形)线锯。

　　目前在光电子工业中，使用最为广泛的是往复多线锯晶圆切割。