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- 主要技术参数：1、生长晶片尺寸：1.25英寸、2英寸2、生长温度控制范围：300℃-1250℃3、最大生长速度：3um/小时4、系统压力、真
- 2018-06-05 16:58 立即抢批
- GaN-MOCVD设备
- 面议
- 主要技术参数： 1、生长晶片尺寸：2英寸3片2、生长温度控制范围：300℃-1250℃3、最大生长速度：3um/小时4、系统压力、真空度：
- 2018-06-05 16:57 立即抢批
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