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所在地：江苏南京市
企业类型：
公司地址：No.3, Hengda Road, Economic and Technological Development Zone, Nanjing, China
Ce:YAG单晶是一种综合性能优良的快衰变闪烁材料，具有高的光输出（20000光子MeV），快的发光衰减（~70ns），优异的热机械性能，发光峰值波长（540nm）与普通光电倍增管的接收灵敏波长很好地匹配（PMT）和硅光电二极管（PD），良好的光脉冲区分了γ射线和α粒子，Ce:YAG适合于探测α粒子、电子和β射线等带电粒子，特别是Ce:YAG单晶良好的力学性能，使制备厚度小于30um的薄膜成为可能。。Ce:YAG闪烁探测器广泛应用于电子显微镜、β和X射线计数、电子和X射线成像屏等领域。
Ce:YAG单晶在340nm和460nm处有明显的吸收峰，这是Ce3+的特征吸收峰。目前商用白光LED中使用的InGaN蓝光芯片的发射波长为460nm。中心波长460nm的Ce:YAG单晶的宽吸收带表明，它能有效地吸收蓝晶片发出的蓝光，将蓝晶片发出的蓝光和Ce:YAG晶片发出的黄光叠加成白光。此外，Ce:YAG单晶具有良好的热稳定性，这对大功率白光LED器件的制造尤为重要。。随着Ce:YAG晶片厚度的增加，蓝晶片和Ce:YAG晶片封装的白光LED器件的光效率逐渐提高，色温和显色指数逐渐降低，随着晶片厚度的增加，Ce3+的含量相对增加。吸收的蓝光越多，发出的黄光越多，导致晶圆的发光从蓝色变成白色变成黄色。
参数
属性
数值
化学式
Ce:Y3 Al5 O12
密度 (g/cm3)
4.55
熔点(℃)
1970
硬度（Mohs）
8.5
吸湿性
否
解理面
否
溶解度（g/100gH2O）
N/A
热膨胀（C-1）
8.5*10-6
属性
数值
波长（最大发射）（nm）
550
波长范围（nm）
500-700
衰变时间（ns）
70
发光量（光子/ keV）
35
折射率（最大发射）
1.82
辐射长度（cm）
3.5
透光率（％）
TBA
透光率（um）
TBA
反射损耗/表面（％）
TBA
能量分辨率（％）
7.5
光电子产率（NaI（TI）%（γ射线用）
35
中子俘获截面（靶恩）
TBA
余辉（％）
<0.005 at 6 ms
