抢先插旗90层TLC市场 三星宣布量产第5代V-NAND

三星(Samsung)近日宣布正式量产第5代V-NAND闪存，第5代V-NAND 堆栈层数超过90层，且为首度支持Toggle DDR 4.0传输接口的NAND闪存， 其单颗封装的传输速度即可达1.4Gbps，相较于前一代64层的产品，传输速度提高了40%，并可实现更低的功耗及大幅减少写入延迟。
三星电子闪存产品与技术执行副总裁Kye Hyun Kyung表示，第5代V-NAND解决方案将能满足快速成长的高端储存市场，此外，该公司除了宣布量产第5代V-NAND之外，未来也会为V-NAND阵容推出1TB和QLC( Quad-level Cell)的产品，这将继续推动下一世代的NAND储存解决方案发展。
据悉，第5代V-NAND闪存除了采用全新Toggle DDR 4.0传输接口提升速率之外，也进一步强化性能和功耗，其工作电压从1.8V降至1.2V，写入速度也高达500us，比上一代V-NAND闪存提升了30%， 而读取速率的响应时间也缩短到50us。
此外，该产品内部堆栈超过90层电荷储存式闪存(Charge Trap Flash, CTF) Cell，是目前市面堆栈层数最高的3D NAND TLC架构闪存；这些储存单元透过微管道孔洞连接，每个孔洞只有几百奈米宽， 总计包含超过850亿个CTF单元，每个单元可以储存3位数据。
另一方面，第5代V-NAND闪存也透过制程技术的改善，使制造生产效率提升30%，并藉由先进制程技术，使每个闪存单元的高度降低20%，减少单位之间干扰的发生率，进而提高数据处理的效率。
三星指出，该公司目前正加强第5代V-NAND闪存的量产进程，以满足广泛的市场需求，像是高密度储存领域，高效能运算、企业服务器，以及行动装置市场等。